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15台(套)电子元件行业相关设备被列入首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2019年版)
2020-01-02    来源:工业和信息化部装备工业司  浏览次数:
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2019年12月31日,工业和信息化部发布关于印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2019年版)》的通告(工信部装函(2019)428号)。自2020年1月1日起执行。其中,共计573台(套)重大技术装备列入该目录,涉及电子元件行业相关的技术装备有15台(套),具体如下:



编号

产品名称

单位

主要技术指标

)集成电路生产装备

1

硅外延生产设备

晶圆尺寸≥300mm;工艺温度:1100~1500;片内厚度均匀性≤2%;电阻率片内均匀性≤3%;表面无滑移线;适用于不同规格衬底上N型、P型硅材料的外延生长

2

介质刻蚀机

晶圆尺寸≥300mm;刻蚀能力≥40:1;线宽≤14nm,控制精度:±2nm

3

高密度等离子刻蚀机

晶圆尺寸≥300mm;刻蚀均匀性:±5%,线宽≤14nm,控制精度:±2nm;刻蚀材料为硅、金属和化合物材料

4

光刻机

(1)扫描式:光源波长 193nm,分辨率(CD90nm,单机套刻(OVLSMO15nm;在 90nm 线 条情况下,焦深 DOF≥0.3μm(密集线)、DOF≥0.2μm(孤立线),6.9nm 线条均匀性(CDU≤10%; 满足 200300mm 半导体圆片多种工艺光刻需求

(2)分步重复投影式:满足 200300mm 导体圆片多种工艺光刻需求;线宽≤90nm

5

离子注入机

(1)中束流离子注入机:晶圆尺寸≤300mm;单片注入模式,硅片传输效率≥450pcs/h;注入均匀性≤0.5%;注入重复性≤0.5%;能量范围:2900keV

(2)大束流离子注入机:晶圆尺寸≤300mm;单片注入模式,硅片传输效率≥450pcs/h;注入均匀性≤1%;注入重复性≤1%;能量范围:20050keV

(3)高能离子注入机:晶圆尺寸≤300mm;单片注入模式,硅片传输效率≥450pcs/h;注入均匀性 ≤0.5%;注入重复性≤0.5%;能量范围:21500keV

6

原子层沉积设备(ALD

薄膜每层厚度≤10nm;厚度控制精度≤0.2nm;用于加工各种半导体和集成电路

7

化学机械抛光机(CMP

晶圆尺寸:200300mmuptime≥80%;铜抛光:表面均匀性≤5%,粗糙度≤5nm;介质抛光:表面均匀性≤5%,粗糙度≤5nm

8

匀胶显影机

晶圆尺寸≥300mm

(1)ArF TOK P6111;膜厚厚度:270nm;膜厚均匀性:3-Sigma,片内均匀性≤1.6nm;片间均匀 性≤0.9nm;批间均匀性≤0.9nm

(2)KrF BARCDUV 142;膜厚厚度:70nm90nm;膜厚均匀性:3-Sigma,片内均匀性≤0.9nm片间均匀性≤0.6m;批间均匀性≤0.6nm

(3)I-Line PRC7310;膜厚厚度:1210nm;膜厚均匀性:3-Sigma,片内均匀性≤2.7nm;片间均匀性≤2.7nm;批间均匀性≤2.7nm

)片式元件生产设备

9

电子陶瓷薄膜流延机

最高载带传送速度≥5000mm/min,最大涂膜宽度≥220mm;最高温度≥120℃,温控偏差:±4℃

10

多层陶瓷电容(MLCC)印刷机

膜卷最大可安装直径≥500mm;最大印刷区域≥400mm*400mm;印刷工作台表面与网框底面的平行度≤10μm;印刷工作台表面与印刷投的平行度≤30μm;最大生产效率≥15/分钟

11

薄膜叠层机

叠片尺寸≥225mm*225mm;图像对位精度:±5μm;传送方式:卷对卷

)其他电子专用设备

12

全自动固化系统光纤高速拉丝装备

拉丝速度:2800~3000m/min;可拉光棒直径:150~180mm;塔高≥28m;实现1t涂料连续使用

13

大尺寸光纤预制棒沉积设备

(1)VAD工艺:VAD沉积速率≥16g/min

(2)OVD工艺:OVD沉积速率≥150g/min

14

高端材料用高温高真空烧结炉

均温区≥1000mm*2000mm,最高工作温度≥2600℃;极限真空度≤1*10-4Pa

15

高处度低羟基石英玻璃沉积设备

沉积速率≥20g/min;烧结后玻璃化芯棒直径≥300mm;金属杂质≤0.1ppm;羟基含量≤1ppm