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多维科技推出高灵敏度200nA全极TMR磁开关传感器芯片
2019-06-18    来源:MEMS  浏览次数:
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据麦姆斯咨询报道,近日,多维科技(MDT)推出纳安级低功耗、高灵敏度和宽温区的TMR磁开关传感器芯片:TMR1366。它的主要特点有:200nA功耗,7/5 Gs开启点/释放点,50Hz频率响应,-40℃~125℃工作温度范围,良好的抗外磁场干扰特性,SOT23-3或TO-92S封装。

TMR1366是纳安级低功耗TMR磁开关传感器芯片系列产品的最新组成部分。TMR1366、TMR1162、TMR1262、TMR1362磁开关传感器芯片的用途包括智能流量计、接近开关、无线门禁、智能药丸和便携式智能医药器具等靠电池供电的磁传感器应用。


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多维科技的TMR磁传感器芯片产品系列包括TMR磁开关传感器芯片、TMR线性磁场传感器芯片、TMR磁性角度传感器芯片、TMR磁性齿轮传感器芯片,磁传感器模组产品系列包括TMR磁特征检测传感器模组(金融磁头)、TMR磁图像传感器模组、TMR齿轮编码器模组、TMR旋转编码器模组、TMR电流传感器模组、TMR液位传感器模组、USB磁强计模组(高斯计)、AGV磁导航传感器模组、非接触式线性位移传感器模组等。