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武汉光迅“宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化”科技成果评价会召开
发布时间:2017-08-29    来源:本站原创    浏览次数:

  2017年8月28日,由中国电子元件行业协会组织的“宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化”科技成果评价会在湖北省武汉市召开,该项目由武汉光迅科技股份有限公司完成。中国电子元件行业协会秘书长古群到会,武汉光迅项目组人员参加会议。


  专家组首先听取了光迅科技的成果总体介绍,并提出质询,光迅科技项目组对质询进行答辩。专家组还查看了生产和实验现场,审核了光迅科技提交的评价资料。随后,专家组进行讨论评价。最后专家组长宣布综合评分结果及评价结论。


  该项目围绕2.5Gb/s~10Gb/s光纤接入发射用DFB激光器和接收用APD芯片的大批量国产化,在以下核心技术上取得了创新性成果,包括:DFB激光器和APD芯片的器件结构和制备工艺;2英寸外延片高均匀光栅制备技术;用于芯片良率和可靠性控制的镀膜技术。实现了高可靠、低成本,已达到年产1亿余只的生产规模。经武汉网锐实验室检测,10Gb/s DBF激光器和10Gb/s APD芯片的主要产品性能指标与国际领先厂家的同类型产品相当。专家组认为该项目技术达到国际同类产品的先进水平。

随着实施中国制造2025发展战略,在国家相关部门的政策支持下,企业不断推进科技创新和技术进步,促进产业转型升级。中国电子行业协会除开展科技成果评价外,还将拓展其他的业务领域,满足会员单位对行业管理工作新的需求,在服务会员单位、提升自身专业能力上下功夫。

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