位于瑞士纳沙泰尔的瑞士电子与微技术中心（CSEM）研究机构近期拆分成立了一家新公司“CCRAFT”，致力于生产基于薄膜铌酸锂（TFLN）材料的集成光路（PIC）。这家新公司据称是全球首家提供薄膜铌酸锂（TFLN）芯片量产服务的纯晶圆代工厂，这种光子芯片将在直径6英寸（150毫米）的晶圆生产线上量产。

CSEM宣布：“CCRAFT目前已进行了试生产，并计划扩大其在瑞士纳沙泰尔的生产线，以交付数百万颗先进的光子芯片。预计这些光子芯片将作为光通信、人工智能（AI）数据中心和量子技术的关键组件。”

CSEM首席执行官Alexandre Pauchard（左）和CCRAFT首席执行官Hamed Sattari在CSEM洁净室内，手持一片6英寸薄膜铌酸锂（TFLN）晶圆。经过CSEM六年的研究，拆分成立的CCRAFT现已开始生产并扩大规模，以实现光子芯片的大批量生产。

此前，总部位于瑞士苏黎世的Lightium公司也致力于薄膜铌酸锂（TFLN）技术的研究。去年9月，该公司完成了700万美元的种子轮融资，并正在与荷兰光子组装和封装专家PHIX合作。

CCRAFT创始人兼首席执行官、CSEM技术经理Hamed Sattari在一份新闻稿中表示：“主流的光子平台在带宽和能效方面正遭遇根本性瓶颈，而人工智能驱动的数据需求则进一步放大了这些瓶颈问题。薄膜铌酸锂（TFLN）是一个非常有前景的材料平台，能够满足下一代性能需求。”

Hamed Sattari表示：“过去六年，我们在CSEM开发了薄膜铌酸锂（TFLN）制造技术，并为40多家合作伙伴生产了光子芯片。现在，我们已准备好扩大生产规模。”

CCRAFT生产的薄膜铌酸锂（TFLN）光子芯片

Hamed Sattari在一篇领英（LinkedIn）帖子中补充道：“我们生成的薄膜铌酸锂（TFLN）光子芯片能够实现超过1.6 Tbit/s的数据传输速度，同时将能耗降低多达十倍——这对人工智能数据中心和电信基础设施而言是一次飞跃。但其影响远不止于此，薄膜铌酸锂（TFLN）光子芯片还为量子技术、先进传感等领域的全新可能性打开了大门。”

薄膜铌酸锂（TFLN）集多项关键优势于一身，例如高电光效率、低光损耗、宽透光窗口、光学非线性以及与微电子系统的兼容性。这使得薄膜铌酸锂（TFLN）不仅成为数据通信的变革平台，也成为量子技术、激光雷达（LiDAR）、先进传感和空间应用的变革平台。

Hamed Sattari继续说道：“CCRAFT提供完全基于薄膜铌酸锂（TFLN）衬底的单芯片设计，以及将薄膜铌酸锂（TFLN）与硅相结合以便于集成的混合设计。”

尽管许多公司正在突破基于硅光子或磷化铟（InP）的现有光子材料平台的极限，但薄膜铌酸锂（TFLN）材料的支持者认为，这些平台无法实现市场所需的性能飞跃。

CSEM指出：“薄膜铌酸锂（TFLN）的关键优势在于其采用了已被广泛理解和应用的块体光学材料，有望将速度提高8倍，能耗降低10倍。凭借其卓越的电光特性以及与现代芯片制造的兼容性，薄膜铌酸锂（TFLN）能够实现超快速高效的数据传输，以及各种传感应用。”

尽管CCRAFT将面临来自现有技术以及Lightium和总部位于美国马萨诸塞州的HyperLight等薄膜铌酸锂（TFLN）供应商的竞争，但CCRAFT表示：“除了多项目晶圆（MPW）之外，我们还将提供专用的工艺设计套件（PDK）来支持客户量产，以降低代工成本。”

CSEM报道称：“PDK包含每个组件物理特性和性能的完整模型，以确保制造出的芯片性能符合设计要求。CCRAFT能够生产每片晶圆包含多达800种不同芯片的MPW。”

Hamed Sattari表示：“我们是全球首家为基于薄膜铌酸锂（TFLN）的芯片做好量产准备的公司。其他企业仍在筹集资金或提供所谓的虚拟代工服务，需要将实际生产外包。我们与CSEM的紧密合作使我们能够从中试转向量产。”

CCRAFT计划在瑞士纳沙泰尔建设更多的生产线，预计到2030年实现年产1200万片芯片的目标，并在此过程中占据全球30%的市场份额。

CSEM市场营销和业务发展副总裁Bahaa Roustom指出：“通过利用CSEM的基础设施和多年的专业知识以及‘地平线欧洲（Horizon Europe）’项目，CCRAFT可以加快生产速度，并有望成为全球首家提供高性能光学信息处理关键组件量产代工的公司。这对瑞士和欧洲来说是一个真正的机会，可以在一项重要的技术领域重新获得自主权。”