入选国家工信部“首批重点培育中试平台”名单不到1个月，上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）再次迎来重磅时刻：6月5日，首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在国内首个光子芯片中试线下线，同时实现了超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，关键技术指标达到国际先进水平。这一突破性成果标志着我国在高端光电子核心器件领域完成从“技术跟跑”到“产业领跑”的历史性跨越。研究院将依托中试平台，携手产业链合作伙伴推进规模化量产进程，构建“技术研发-工艺验证-规模量产”全链条能力，进一步增强自主可控的量子科技国际竞争力。

自主可控中试平台，实现晶圆级光子芯片集成工艺突破

光量子芯片是光量子计算的核心硬件载体，其产业化进程将推动我国在量子信息领域实现自主可控，更是抢占全球量子科技竞争制高点的战略支撑。此前，因共性关键工艺技术平台的缺失，我国光量子技术面临“实验室成果难以量产”的困境，是制约产业发展的“卡脖子”难题，而光子芯片中试线的启用成为破局关键。

上海交大无锡光子芯片研究院于2022年12月启动国内首条光子芯片中试线建设，2024年9月，集光子芯片研发、设计、加工和应用于一体的光子芯片中试线正式启用。如今，首片晶圆成功下线，中试平台实现量产通线，彰显了项目建设的高效与成果。

作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、高带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。然而，由于薄膜铌酸锂材料脆性大，大尺寸薄膜铌酸锂晶圆的制备一直被行业视为挑战，尤其在量产化工艺中面临纳米级加工精度控制、薄膜沉积均匀性保证、刻蚀速率一致性调控等三大难题。

CHIPX工艺团队基于自主建设的国内首条光子芯片中试线，引进了110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖了薄膜铌酸锂晶圆从光刻、薄膜沉积、刻蚀、湿法、切割、量测到封装的全闭环工艺。通过创新性开发芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，成功打通了从光刻图形化、精密刻蚀、薄膜沉积到封装测试的全制程工艺，实现晶圆级光子芯片集成工艺突破。